Két egymástól elszigetelt,egymáshoz viszonyítva párhuzamos sík vezetők,amelyeknek felületén azonos nagyságú,de ellentétes előjelű töltéseket visznek fel,így a fémlemezek között homogén elektromos tér jön létre. Legegyszerűbb esetben az egyik fémlemezt leföldeljük(ez lesz a negatív fegyverzet)és a másik lemezre töltést viszünk fel. Az elektromos megoszlásnak köszönhetően a másik lemezen ugyanakkora,de ellentétes előjelű töltés jelenik meg. A két fegyverzet között statikus feszültség mérhető U=E*d. A kondenzátor jósági tényezője a kapacitás:
\Large C=\frac{Q}{U}[F]
\Large C=\epsilon_0 \frac{A}{d}
A térerősség csökkentésével a kapacitás növelhető, ezt szigetelővel érik el:
\Large C=\epsilon_r \epsilon_0 \frac{A}{d} = \epsilon_r C
Síkkondenzátor kapacitása:
f: egy lemez felülete
d: lemezek közti távolság
- vákuumban: \large C=\epsilon_0 \frac{A}{d}
- homogén dielektrikummal: \Large C=\epsilon_r \epsilon_0 \frac{A}{d}